Новости

RSS-трансляция Читать в FaceBook Читать в Twitter Читать в ВКонтакте Читать в Google+ Читать в LiveJournal




26.03.2021 21:26
824
Samsung представила новые модули памяти DDR-5 объёмом 512 ГБ

За последнее время существенно вырос объём данных, которым обмениваются пользователи и приложения. Речь идёт о постоянно увеличивающемся в геометрической прогрессии трафике. Серверные платформы постепенно перестают справляться с обработкой такого объёма данных, что в значительной мере и подстегнуло скорое появление стандарта памяти DDR-5. Компания Samsung представила первый модуль памяти нового стандарта объёмом 512 ГБ, предназначенный для оптимизации работы серверных платформ.

Новый стандарт памяти

Стандарт памяти DDR-3 уже считается устаревшим и недостаточно производительным для современных компьютерных систем. Тем не менее в компьютерах многочисленных пользователей до сих пор установлены именно они, а тех, кто никогда не держал в руках планку оперативной памяти DDR-4, очень много. Поэтому выход уже пятой версии кажется несколько преждевременным. На сегодняшний день для пользовательского сегмента имеющейся оперативной памяти вполне достаточно для выполнения любых задач. Даже разработчики, использующие высокопроизводительные рабочие станции, по большому счёту не испытывают острой необходимости в новом «железе». Другое дело – серверный сегмент. В разы возросшая нагрузка требует новых, более производительных решений, каковым и является DDR-5.

Новый стандарт в сочетании с новыми материнскими платами и процессорами смогут разом решить все возникшие проблемы. Использование новых технологий позволило не только существенно повысить объём одной планки памяти, но и в два раза увеличить производительность.

Оперативная память для серверных платформ

Перед подавляющим большинством разработчиков у компании Samsung имеется значительное преимущество – собственные производственные мощности. В то время, как остальные ждут полупроводниковую продукцию от сторонних производителей, Samsung ведёт собственные исследования и производит собственные решения, к которым относится и технология High-K Metal Gate. С её помощью разработчики решили одну из главных проблем, возникших при уплотнении архитектуры. Увеличение плотности информации заставляет изготавливать всё более миниатюрную электронику, создавая пространственные многослойные структуры. Между соседними слоями размещают диэлектрик. После очередного уменьшения масштаба, слой диэлектрика настолько истончился, что его проницаемость упала ниже критической отметки, и токи утечки стали слишком высокими.

Новая же технология позволила улучшить технические показатели и собрать чипы памяти с восьмислойной структурой. Производителю удалось достичь объёма 512 гигабайт на одну планку оперативной памяти, что в два раза больше, чем в предыдущих размерах. Разработка велась с учётом стандартов, используемых различными производителями электроники, поэтому новая оперативная память должна быть совместима с системами, поддерживающими работу с DDR-5. После того, как модули будут протестированы для проверки их полной совместимости, они появятся на рынке. Ожидается, что оперативную память Samsung можно будет использовать на платформах с Intel Sapphire Rapids и AMD Genoa. Новые серверные процессоры, уже выпущенные или только выходящие на рынок, поддерживают восемь каналов памяти. На каждый канал можно будет установить две планки оперативной памяти, увеличив таким образом объём до 16 ТБ, что в два раза больше, чем используется сейчас.



Понравилась эта новость? Тогда жми:


Присоединяйтесь на Facebook, чтобы видеть материалы, которых нет на сайте:




Оставить комментарий