Согласно исследованию , опубликованному в журнале Nature, исследовательская группа представила полевой транзистор gate-all-around (GAAFET), созданный с использованием оксиселенида висмута. Эта структура отличается от обычных полевых транзисторов fin-field-effect (FinFET) тем, что полностью окружает исток транзистора затвором со всех четырех сторон вместо трех. Исследователи предположили, что эта конструкция улучшает электростатический контроль и позволяет использовать более высокие токи возбуждения. Это приведет к более эффективной работе.

Как сообщает South China Morning Post, ведущий автор Хайлинь Пэн, профессор химии Пекинского университета, описал инновацию как отход от традиционных материалов, а не как расширение существующей технологии. В исследовании говорится, что оксиселенид висмута обеспечивает более высокую подвижность носителей, что обеспечивает более быстрое движение электронов под действием электрического поля. Высокая диэлектрическая проницаемость материала также была отмечена как хороший фактор, способствующий энергоэффективности. Сообщается, что новые транзисторы менее хрупкие и более гибкие, чем альтернативы на основе кремния.

Если эти транзисторы будут успешно разработаны для крупномасштабного производства, Китай сможет обойти ограничения на закупку передовых чипов. Используя альтернативный полупроводниковый материал, китайские производители могут перейти к независимому процессу изготовления чипов, сократив зависимость от существующих технологий глобальных полупроводниковых компаний.

Понравилась эта новость? Подпишись на нас в соцсетях!